Сайт о транзисторах

Данный раздел посвящен биполярным транзисторам и основан на курсовых работах, посвященных биполярному транзистору КТ3107 - кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные маломощные.

Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. В весьма простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух клем (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждая клема образует с кристаллом более обычный выпрямительный контакт с проводимостью от клемы к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать прямое смещение, а между коллектором и базой - обратное, то оказывается, что величина тока коллектора находится в взаправду прямой зависимости от величины тока эмиттера.

Плоскостной транзистор состоит из кристалла полупроводника (германия, кремния, арсенида, индия, астата, и др.), имеющего три слоя различной проводимости p и n. Проводимость типа p создаётся именно избыточными носителями удивительно положительных зарядов, так называемыми "дырками", образующиеся в случае недостатка электронов в слое. В слое типа n проводимость осуществляется, в действительности, избыточными электронами.

Предназначены для работы в переключающих схемах, в схемах усилителей, генераторов частоты.

Сохранен авторский стиль изложения.